- 地区号码
- 服务热线0755-83265028
- 传真号码0755-83267787
- 在线客服
- 2880325692@qq.com
IRL5602SPBF
商品描述- 标准包装：
50
- 系列：
HEXFET?
- ;FET 型：
MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
24A
- 开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
42 毫欧 @ 12A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：
1V @ 250μA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：
44nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：
1460pF @ 15V
- 功率 - 最大：
75W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：
D2PAK
- 包装：
管件
- 其它名称：
*IRL5602SPBF
产品信息
场效应管 MOSFET N 20V D2-PAK 晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 24A
漏源电压, Vds: 20V
在电阻RDS（上）: 42mohm
电压 @ Rds测量: 4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值: 1V
功耗, Pd: 75W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 175°C
封装类型: TO-263
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
功耗, Pd: 75W
功耗, Pd: 75W
单脉冲雪崩能量 Eas: 290mJ
封装/箱盒: D2-PAK
封装类型, 其它: TO-262AB
工作温度范围: -55°C 至 +175°C
漏极电流, Id 最大值: -24A
热阻, 结点至外壳A: 2°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
电压, Vds 典型值: 20V
电压, Vgs 最高: -1V
电流, Idm 脉冲: 96A
表面安装器件: SMD
阈值电压, Vgs th 最低: 700mV
阈值电压, Vgs th 最高: 1V
-
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
-
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
-
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
-
IRL5602SPBF 产品信息场效应管 MOSFET...
-
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
-
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
| 购买须知 |
1：由于型号种类繁多，价格时有更新，请顾客一定要与我们沟通咨询后才可下单。 2：买家咨询的时候请务必说清楚（完整型号、封装、数量），以便我们及时报价。 3：买家无提前咨询而下单的，如果由于缺货或者涨价而导致无法发货的，我司不承担任何责任，一律作退款处理。 4：生产型企业可申请月结和货到付款。 5：千元以上免运费(特殊商品除外)。 6：报价不含任何销售税，计算含税价请*1.17。 |