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IRL3303PBF
商品描述- 产品目录绘图：
IR Hexfet TO-220AB
- 标准包装：
50
- 系列：
HEXFET?
- ;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
38A
- 开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
26 毫欧 @ 20A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：
1V @ 250μA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：
26nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：
870pF @ 25V
- 功率 - 最大：
68W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商设备封装：
TO-220AB
- 包装：
管件
- 产品目录页面：
1518 (CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
*IRL3303PBF
IRL3303PBF：MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
IR推出IRS44273L紧凑型低侧栅极驱动IC
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用SOT-23-5L高精密封装的IRS44273L低侧栅极驱动IC，能够有效提供高驱动能力。
IRS44273L易于使用，为IGBT及MOSFET栅极驱动器提供简便的解决方案，可以在最小的电路板上，提供典型1.5A拉电流和灌电流能力、快速开关性能及集成式欠压锁定保护功能。全新器件还具有以往只适用于SO-8等较大封装的功能，可实现更精密、更经济的系统设计。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“全新IRS44273L采用SOT-23-5L封装，为低侧驱动器提供目前最大的驱动电流，设计人员可以使用该器件来替代面积较大的、采用SO-8封装的器件，从而大幅减少解决方案的尺寸。”
IRS44273L在封装的每一侧都配有两个输出引脚，通过灵活的布线来简化系统设计。此外，该器件包含非反相输入端，并且与CMOS和LSTTL控制器兼容。
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