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593D336X9025D2TE3

  • 厂家:Vishay Sprague
  • 封装/批号:SMD
  • 数量:48000
  • 价格:电议
  • 类型:IC现货
  • pdf: 593D336X9025D2TE3

593D336X9025D2TE3

商品描述
  • 产品培训模块:

    Conformal Coated Tantalum Capacitors
    Molded Tantalum Surface Mount Capacitors

  • 标准包装:

    500

  • 系列:

    TANTAMOUNT? 593D

  • 电容:

    33μF

  • 电压 - 额定:

    25V

  • 容差:

    ±10%

  • ESR(等效串联电阻):

    200 毫欧

  • 类型:

    模制

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    2917(7343 公制)

  • 尺寸/尺寸:

    0.287" L x 0.169" W(7.30mm x 4.30mm)

  • 高度 - 座高(最大):

    0.122"(3.10mm)

  • 引线间隔:

    -

  • 制造商尺寸代码:

    D

  • 特点:

    通用

  • 包装:

    带卷 (TR)

  • 寿命@温度:

    -

半导体材料双雄并立,难分高下

 进入21世纪以来,随着摩尔定律的失效大限日益临近,寻找半导体硅材料替代品的任务变得非常紧迫。在多位选手轮番登场后,有两位脱颖而出,它们就是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)——并称为第三代半导体材料的双雄。

SiC早在1842年就被发现了,但直到1955年,才有生长高品质碳化硅的方法出现;到了1987年,商业化生产的SiC进入市场;进入21世纪后,SiC的商业应用才算全面铺开。相对于Si,SiC的优点很多:有10倍的电场强度,高3倍的热导率,宽3倍禁带宽度,高一倍的饱和漂移速度。因为这些特点,用SiC制作的器件可以用于极端的环境条件下。微波及高频和短波长器件是目前已经成熟的应用市场。42GHz频率的SiC MESFET,用在了军用相控阵雷达、通信广播系统中,用SiC做为衬底的高亮度蓝光LED则是全彩色大面积显示屏的关键器件。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

    型号:593D336X9025D2TE3

   
    批号:13+

    热线:400-800-0307

    电话:0755-83267816

    传真:0755-83267787

    网站:www.icqjd.com

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