- 地区号码
- 服务热线0755-83265028
- 传真号码0755-83267787
- 在线客服
- 2880325692@qq.com
593D337X96R3D2TE3
商品描述- 产品培训模块：
Conformal Coated Tantalum Capacitors
Molded Tantalum Surface Mount Capacitors - 标准包装：
500
- 系列：
TANTAMOUNT? 593D
- 电容：
330μF
- 电压 - 额定：
6.3V
- 容差：
±10%
- ESR（等效串联电阻）：
125 毫欧
- 类型：
模制
- 工作温度：
-55°C ~ 125°C
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
2917（7343 公制）
- 尺寸/尺寸：
0.287" L x 0.169" W（7.30mm x 4.30mm）
- 高度 - 座高（最大）：
0.122"（3.10mm）
- 引线间隔：
-
- 制造商尺寸代码：
D
- 特点：
通用
- 包装：
带卷 (TR)
- 寿命@温度：
-
SiC材料正在大举进入功率半导体领域。一些知名的半导体器件厂商，如ROHM，英飞凌，Cree，飞兆等都在开发自己的SiC功率器件。英飞凌公司在今年推出了第五代SiC肖特基势垒二极管，其结合了第三代产品的低容性电荷（Qc）值与第二代产品的正向电压（Vf）水平相结合，使PFC电路达到最高效率水平，击穿电压则达到了650V。飞兆半导体发布了SiC BJT，其实现了1200V的耐压，传到和开关损耗相对于传统的Si器件降低了30～50%，从而能够在相同尺寸的系统中实现高达40%的输出功率提升。ROHM公司则推出了1200V的第二代SiC制MOSFET产品，其实现了SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装，比Si-IGBT相比，工作损耗降低了70％，并可达到50kHz以上的开关频率。值得一提的是，IGBT的驱动比较复杂，如果使用SiC基的MOSFET，则能使系统开发的难度大为降低。SiC的市场颇为被看好，根据预测，到2022年，其市场规模将达到40亿美元，年平均复合增长率可达到45%。
说完了SiC，再来说说GaN。在上世纪90年代以前，因为缺乏合适的单晶衬底材料，而且位错密度比较大，其发展缓慢，但进入90年代以后，其发展迅速，年均增长率达30%，已经成为大功率LED的关键性材料。同SiC一样，GaN也开始进军功率器件市场。虽然，2012年的GaN市场上，IR和EPC公司是仅有的两家器件供应商，但是到明年，可能会有多家公司推出自己的产品。如果这些厂家在2014年扩充产能，在2015年推出600V耐压的GaN功率器件，整个市场的发展空间将得到极大地扩充。
批号：13+
热线：400-800-0307
电话：0755-83267816
传真：0755-83267787
-
CAP TANT 330UF 6.3V 10% 2917
-
SiC材料正在大举进入功率半导体领域。一...
| 购买须知 |
1：由于型号种类繁多，价格时有更新，请顾客一定要与我们沟通咨询后才可下单。 2：买家咨询的时候请务必说清楚（完整型号、封装、数量），以便我们及时报价。 3：买家无提前咨询而下单的，如果由于缺货或者涨价而导致无法发货的，我司不承担任何责任，一律作退款处理。 4：生产型企业可申请月结和货到付款。 5：千元以上免运费(特殊商品除外)。 6：报价不含任何销售税，计算含税价请*1.17。 |