IPS021

商品描述

标准包装：
50
系列：
-
类型：
低端
输入类型：
非反相
输出数：
1
导通状态电阻：
130 毫欧
电流 - 输出 / 通道：
1.8A
电流 - 峰值输出：
10A
电源电压：
4 V ~ 6 V
工作温度：
-40°C ~ 150°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商设备封装：
TO-220AB
包装：
管件
其它名称：
*IPS021

IPS021 IC MOSFET LS DRIVER 5A TO-220AB

IR开始商业装运氮化镓器件

全球功率半导体和管理方案领导厂商–国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日宣布已经为一套家庭影院系统测试并装运了基于其革命性氮化镓 (GaN) 功率器件技术平台的产品。这套家庭影院系统是由一家业界领先的消费电子产品公司所生产。

　　IR总裁兼首席执行官Oleg Khaykin表示：“IR开始商业装运采用其尖端的氮化镓技术平台及IP产品组合的器件，成功保持了我们在功率半导体器件市场的领导地位，同时预示着电源转换新时代的来临，这正与公司帮助客户节省能源的核心宗旨相契合。我们完全可以预期，氮化镓技术对电源转换市场的潜在影响能够至少不逊色于我们30年前推出的功率HEXFET。”

　　这一成就彰显了IR在功率管理市场的战略优势，即能够提供一个带来高资本效益的制造模式。相比最先进的硅技术，氮化镓技术平台能够将客户的主要应用的性能指数 (FOM) 提升10倍。这一新的里程碑表明IR一直致力于为客户提供顶尖的功率管理技术。

　　Khaykin总结称：“长期来看，氮化镓技术适用于IR所有业务单元和产品线。我们欣然见证该技术成为公司长期收入增长和市场占有率扩大的主要推动力。我谨向所有相关人士致以衷心的谢意，并且祝贺他们取得如此非凡的成就。”

　　这款开创先河的氮化镓功率器件技术平台是IR历经10年，基于其专有的硅基氮化镓磊晶技术进行研发的成果。其高产量、 150mm的硅基氮化镓磊晶以及相关的器件制造工艺，能够与IR现有的具备成本效益的硅制造设施完全匹配，为客户提供商业可行的世界级氮化镓功率器件制造平台。

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