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MJD2955T4G
商品描述- 产品目录绘图：
Transistor DPAK
- 标准包装：
10
- 系列：
-
- 晶体管类型：
PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：
10A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：
60V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
8V @ 3.3A，10A
- 电流 - 集电极截止（最大）：
50μA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：
20 @ 4A，4V
- 功率 - 最大：
1.75W
- 频率 - 转换：
2MHz
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：
DPAK-3
- 包装：
标准包装
- 产品目录页面：
1562 (CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
MJD2955T4GOSDKR
晶体管 PNP 60V 10A DPAK 晶体管极性: PNP
电压, Vceo: 60V
过渡频率, ft: 2MHz
功耗, Pd: 20W
集电极直流电流: 10A
直流电流增益, hFE: 100
工作温度最小值: -65°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: TO-252
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
典型增益带宽, ft: 2MHz
功耗, Pd: 20W
封装/箱盒: TO-252
工作温度范围: -65°C 至 +150°C
晶体管类型: 功率
最大连续电流, Ic: 4A
直流电流增益 hfe, 最??值: 20
表面安装器件: SMD
饱和电压, Vce sat 最大: 1.1V
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