三维集成电路IC（3D-IC）下篇

2?D-内插器

真正的3D芯片，这是目前正在开发的有两类。 第一个被称为2?D-创建一个所谓的硅中介层。 将插入器不包含任何有源晶体管，只有互连（也许是去耦电容器），从而避免了上述的阈值偏移的问题。 该芯片连接到所述插入翻转，从而有源芯片不需要创建任何TSV的。 真正的3D芯片TSV技术将通过积极的芯片，在未来，有潜力可堆叠数模高（低功耗存储器的热量和功率分布问题不那么重要）。

    有源芯片本身不具备任何TSV的，只有插入器。 这意味着，不担心TSV的禁区或阈值的变化的情况下，可以制造有源芯片。 他们当然需要microbumped的，因为他们不会是常规丝保税。 上图为（不按比例，当然）架构。

    该图像显示两个芯片的键合到硅中介层使用微凸。 有内插板上的金属层的互连，TSV能够获得通过内插基板，可以在封装基板上的倒装芯片凸点键。 倒装芯片凸点类似micobumps的，但更大，更广泛的间隔。

生产插：赛灵思Virtex-7

赛灵思公司采用这种技术的Virtex-7 FPGA的。 他们称之为“堆叠硅片互联技术”，并声称，这给了他们在每个流程节点的FPGA容量的两倍。 这是因为，只有非常大的FPGA成为可行的良率学习时，很多已经发生的过程介绍后后期。早在一生的过程中，赛灵思计算，创建更小的芯片，然后把一个硅中介层上，而不是他们几个更有意义。 它结束了，尽管便宜的插入的额外成本，因为这样一个巨大的模具不会产生经济卷。

在Xilinx插入器由4 65um的金属层，在硅衬底上。 通过插入TSV的允许这种金属被连接到封装基板上。 的微凸允许4 FPGA芯片翻转，并连接到插入。 见上面的图片。 所述插入一个附加的优点是，它使功率分布在整个模具简单。 这似乎是唯一的设计在大批量生产的今天。