> 发布时间：2014-03-10来源：IC旗舰店-深圳市毅创辉电子旗下电子交易平台分类：企业新闻
穿透硅通孔的3D集成电路IC与电子背散射衍射表征
介绍电子背散射衍射（EBSD）已经成为一个非常流行的技术在微结构材料的表征。 它可用于确定晶粒尺寸和晶粒取向，在表征
晶界和在确定的质感。
电子背散射衍射提供了许多不同的材料和行业，包括微电子有益的启示。 本文介绍了利用牛津仪器公司的AZtecHKL用电子
背散射衍射索恩诺德里斯探测器在穿透硅通孔或TSV的表征。穿透硅通孔
TSV技术正在成为非常重要的微电子行业，由于对更快，更便宜和更小的设备的持续需求。 典型的应用包括苛刻的高功率
器件等许多器件在单个封装中的集成。
硅通孔被开发，以使三维芯片的集成度 - 的TSV的用于建立层之间的电连接，使堆叠芯片的功能的集成电路。
性能和寿命
这种新颖的技术要求的材料，工艺和可靠性的完整理解在纳米尺度。 在TSV的通过蚀刻硅通常形成 - 在制造过程期间必须
快速蚀刻来控制，使得通过TSV的更新保持良好的蚀刻通过衬里通常是氧化物或电介质构成的绝缘层，它必须
保持其在整个器件的寿命完整性和功能性。
故障分析在这个规模通常涉及的FIB电梯出，随后在透射电镜
分析和结构表征。 电子背散射衍射提供了扫描电镜为基础的表征方法，是直接和有效。
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